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ファインパターン形成とTH内の高接続信頼性（高いメッキ膜厚の）確保、この一見相反する要求に高次元で応える次世代TH。それがFACT-EV-PTHです。
銅箔の状態でファインパターンを形成しておき、その後にビア導通用のメッキを行い、必要な箇所のみ残してあとはエッチングで取り去る。こうすることで予め作成したファインパターンはそのままに、あたかもパーシャル(部分的)にTHめっきをしたような形状が得られます。 |
| 必要な部分に必要な数だけ加工ができる，次世代スルホール |
| 1. |
パターン形成後のスルホール加工により高密度パターンを容易に実現
(L/S=40/40) |
| 2. |
部分スルホール加工により、圧延銅の特徴をそのまま発揮 |
| 3. |
キャビティ構造の基板も後付けスルホールで容易に対応 |
| 4. |
部分スルホール加工と共に表層パッド部のバンプ作製も可能 |
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| ご採用例：各種モジュール基板、高屈曲FPC用途 |
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